EQS-News: AIXTRON-Innovationszentrum von NRW-Wirtschaftsministerin Mona Neubaur eröffnet (deutsch)

AIXTRON-Innovationszentrum von NRW-Wirtschaftsministerin Mona Neubaur eröffnet

EQS-Media / 13.12.2024 / 08:42 CET/CEST

AIXTRON-Innovationszentrum von NRW-Wirtschaftsministerin Mona Neubaur

eröffnet

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Bildtitel: Aus Anlass der Eröffnung des Innovationszentrums der AIXTRON SE

in Herzogenrath am 12. Dezember 2024

V.l.n.r.: Dr. Benjamin Fadavian (Bürgermeister Herzogenrath), Dr. Felix

Grawert (CEO AIXTRON SE), Mona Neubaur (Ministerin für Wirtschaft,

Industrie, Klimaschutz und Energie des Landes Nordrhein-Westfalen), Dr.

Christian Danninger (CFO AIXTRON SE) --- Foto: AIXTRON/Friedrich Stark.

Herzogenrath, 13. Dezember 2024 - NRW-Wirtschaftsministerin Mona Neubaur hat

das neue Innovationszentrum von AIXTRON SE (FSE: AIXA) am Firmensitz in

Herzogenrath eröffnet. Bei dem offiziellen Termin an diesem Donnerstag

zeigten AIXTRON CEO Dr. Felix Grawert und CFO Dr. Christian Danninger der

Ministerin den neuen Forschungs- und Entwicklungskomplex mit 1.000 m²

Reinraumfläche. Er bildet die Grundlage für den Übergang zur

300-mm-Wafer-Technologie in der Verbindungshalbleiterindustrie.

"Das neue Innovationszentrum von AIXTRON ist ein beeindruckendes Beispiel

für die Innovationskraft und Zukunftsfähigkeit der Halbleiterindustrie in

Nordrhein-Westfalen. Der Start der 300-mm-Wafer-Technologie ist ein

Meilenstein für die Energieeffizienz und Wettbewerbsfähigkeit unserer

Region. Unsere globale Wettbewerbsfähigkeit profitiert enorm von einer

robusten heimischen Halbleiterproduktion, denn Halbleiter machen die

Transformation hin zur Klimaneutralität erst möglich: Ohne sie läuft kein

Computer, fährt kein Auto, können weder Wind- noch Solaranlagen Energie

produzieren." sagte Mona Neubaur, Ministerin für Wirtschaft, Industrie,

Klimaschutz und Energie und stellvertretende Ministerpräsidentin des Landes

Nordrhein-Westfalen.

Der Veranstaltung wohnten Vertreter von Politik, der Stadt Herzogenrath, der

Industrie- und Handelskammer Aachen sowie Medienvertreter bei. Die

Ministerin besuchte AIXTRON im Rahmen einer Innovationstour in

Nordrhein-Westfalen.

"Mit dem neuen 300-mm-Anlagen tauglichen Reinraum im Innovationszentrum

werden wir unsere technologische Marktführerschaft weiter ausbauen", sagte

Dr. Felix Grawert, Vorstandsvorsitzender und CEO der AIXTRON SE. "Wir

verfügen bereits über erste 300-mm-GaN-Prototypenanlagen, die auch schon bei

mehreren Kunden in Pilotlinien integriert sind. Und genau hier zeigt sich

die Innovationskraft und DNA von AIXTRON. Seit Jahrzehnten arbeiten wir an

technologischen Lösungen, ohne dass der Markt seine Anforderungen schon

konkret definiert hätte. Damit sind wir in der Lage, unseren Kunden

frühzeitig bei ihren Produktentwicklungen zu helfen und innovative

Technologien genau zu dem Zeitpunkt marktreif anzubieten, an dem erstmals

eine Nachfrage entsteht."

Spatenstich und Baubeginn des hochmodernen Komplexes, in den AIXTRON aus

eigener Kraft rund 100 Millionen Euro investiert, war im November 2023. Das

High-Tech-Gebäude ist ausgelegt auf den nächsten großen Schritt in der

Verbindungshalbleitertechnik: den wichtigen Übergang auf 300-mm-Wafer für

GalliumNitrid (GaN) und weitere Verbindungshalbleiteranwendungen. Das

Materialsystem GaN, in dem AIXTRON Technologieführer ist, kommt aufgrund der

überragenden Materialeigenschaften in immer mehr Leistungselektronik zum

Einsatz. GaN-basierte Halbleiterbauelemente steigern die Leistungsfähigkeit

von Ladegeräten in der Unterhaltungselektronik, ermöglichen eine effiziente

Stromwandlung im Bereich erneuerbarer Energie und eine energiesparende

Stromversorgung von Servern und Rechenzentren. Dies hilft beispielsweise

auch bei den Anwendungen für die künstliche Intelligenz, die sich gerade

rasant verbreiten, denn diese benötigen sehr viel Energie.

Um sich auf diese Nachfrage vorzubereiten, treibt AIXTRON die Entwicklung

der 300-mm-Depositionstechnologie voran. Der größere Waferdurchmesser bietet

Kunden einen Flächenvorteil von Faktor 2,25 gegenüber den aktuell

verwendeten 200-mm-Wafern. Darüber hinaus können die Kunden ihre bestehenden

300-mm-Fabriken und Anlagen erstmals für die Herstellung von

Verbindungshalbleitern benutzen. Dadurch wird die Herstellung von

GaN-Halbleiterbauelementen nicht nur kostengünstiger, sondern bietet

perspektivisch auch Möglichkeiten für technologische Leistungssteigerungen.

"Mit der 300-mm-Wafertechnologie bringen wir zum ersten Mal

Verbindungshalbleiter in den Mainstream der Halbleiterherstellung. Das

Innovationszentrum ist ein wichtiges Element unserer Strategie, da es den

Platz und die technischen Voraussetzungen für Technologien der nächsten

Generation bietet. Der Schritt hin zu 300 mm bei Verbindungshalbleitern ist

ein Meilenstein, der in den kommenden Jahren zahlreiche

Wachstumsmöglichkeiten für die Branche eröffnen wird", erklärt Professor Dr.

Michael Heuken, Vice President Advanced Technologies bei AIXTRON.

Ansprechpartner

Christian Ludwig

Vice President Investor Relations & Corporate Communications

fon +49 (2407) 9030-444

e-mail c.ludwig@aixtron.com

Über AIXTRON

Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von

Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983

gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie

Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die

Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten

Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für

elektronische und optoelektronische Anwendungen auf Basis von

Verbindungshalbleiter- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese

Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien

und Industrien eingesetzt. Dazu gehören beispielsweise Laser-, LED-, und

Displaytechnologien, Datenübertragung, SiC- und GaN-Energiemanagement und

-umwandlung, Kommunikation, Signal- und Lichttechnik sowie viele weitere

anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.

Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic

Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R),

EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R),

PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im

Internet unter www.aixtron.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die

Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe

wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen",

"beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen",

Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese

zukunftsgerichteten Aussagen. Solchezukunftsgerichtete Aussagen geben die

gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON

Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches

liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und

Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die

zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder

Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen

zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass

Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse,

Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen

abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage

genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum

Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang

der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der

endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima

und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen

Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld,

Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen,

Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und

Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine

Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs,

Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,

Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen

bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung

der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die

AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt

Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene

zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und

Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung

verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur

Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer

Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine

ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei

Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der

englischen Übersetzung vor.

Ende der Pressemitteilung

Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE

Schlagwort(e): Unternehmen

13.12.2024 CET/CEST Veröffentlichung einer Pressemitteilung, übermittelt

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Unternehmen: AIXTRON SE

Dornkaulstraße 2

52134 Herzogenrath

Deutschland

Telefon: +49 (2407) 9030-0

Fax: +49 (2407) 9030-445

E-Mail: invest@aixtron.com

Internet: www.aixtron.com

ISIN: DE000A0WMPJ6

WKN: A0WMPJ

Indizes: MDAX, TecDAX

Börsen: Regulierter Markt in Frankfurt (Prime Standard);

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